| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669717303 |
| Дата корректировки | 8:57:42 22 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калентьева, И. Л. | |
|
Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия Электронный ресурс |
|
| GaAs structures with gate dielectric on base of the alumimium oxide layers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Исследованы различные типы диэлектриков, полученных методом низкотемпературного электронно-лучевого распыления: слои Al[2]O[3] и трехслойные композиции Al[2]O[3]/SiO[2]/Al[2]O[3]. Определена зависимость электрической прочности слоев Al[2]O[3] от толщины. Установлено, что формирование трехслойного диэлектрика Al[2]O[3]/SiO[2]/Al[2]O[3] позволяет увеличить диапазон рабочих напряжений до 60 В для структур с управляющим электродом. Показана возможность управления плотностью носителей (дырок) в двумерном канале проводимости GaAs-структур посредством изменения напряжения на затворе при использовании конструкции слоев Al[2]O[3]/SiO[2]/Al[2]O[3] в качестве подзатворного диэлектрика. |
| Ключевые слова | арсенид галлия |
|
подзатворные диэлектрики диэлектрики оксид алюминия полупроводниковое приборостроенияе полупроводники фотолюминесценция электронно-лучевое распыление гетеронаноструктуры |
|
|
Вихрова, О. В. Здоровейщев, А. В. Данилов, Ю. А. Кудрин, А. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 204-207 |
| Имя макрообъекта | Калентьева_арсенид |
| Тип документа | b |
