-
Электролюминесценция в гетероструктурах n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
Михайлова, М. П., Лёвин, Р. В., Иванов, Э. В., Данилов, Л. В., Левин, Р. В., Андреев, И. А., Куницына, Е. В., Яковлев, Ю. П.
Электролюминесценция в гетероструктурах n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ, [Текст]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2019 .-
Т. 53, вып. 1. - С. 50-54 .-
Михайлова_электролюминесценция
-
Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле
Михайлова, М. П., Березовец, В. А., Парфеньев, Р. В., Данилов, Л. В., Сафончик, М. О., Hospodkova, A., Pangrac, J., Hulicius, E.
Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 10. - С. 1393-1399
Михайлова_вертикальный
-
Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами
Данилов, Л. В., Михайлова, М. П., Андреев, И. А., Зегря, Г. Г.
Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 9. - С. 1196-1201 .-
Данилов_влияние
-
Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой
Михайлова, М. П., Андреев, И. А., Коновалов, Г. Г., Данилов, Л. В., Иванов, Э. В., Куницына, Е. В., Ильинская, Н. Д., Левин, Р. В., Пушный, Б. В., Яковлев, Ю. П.
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 8. - С. 906-911 .-
Михайлова_эффект
-
Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (обзор)
Михайлова, М. П., Копьёв, П. С. , Иванов, Э. В., Данилов, Л. В., Калинина, К. В., Яковлев, Ю. П., Копьев, П. С.
Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (обзор), [Электронный ресурс]
цв. ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 12. - С. 1267-1288 .-
Михайлова_излучательная
-
Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2-300K
Мынбаев, К. Д. , Баженов, Н. Л., Семакова, А. А., Михайлова, М. П., Стоянов, Н. Д., Кижаев, С. С., Молчанов, С. С., Черняев, А. В., Lipsanen, H. , Бугров, В. Е.
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 2. - С. 247-252 .-
Мынбаев_электролюминесценция
-
Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
Данилов, Л. В., Петухов, А. А., Михайлова, М. П., Зегря, Г. Г. , Иванов, Э .В., Яковлев, Ю. П.
Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 6. - С. 794-800 .-
Данилов_особенности
