Поиск

Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами

Авторы: Данилов, Л. В. Петухов, А. А. Михайлова, М. П. Зегря, Г. Г. Иванов, Э .В. Яковлев, Ю. П.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Автор Данилов, Л. В.
Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
Электронный ресурс
Ключевые слова электролюминесценция
Другие авторы Петухов, А. А.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 6. - С. 794-800
Имя макрообъекта Данилов_особенности