| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671019931 |
| Дата корректировки | 10:37:30 6 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Данилов, Л. В. |
|
Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами Электронный ресурс |
|
| Features of high-temperature electroluminescence in LED n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Сообщается об исследовании электролюминесцентных свойств светодиодной гетероструктуры n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb с высокими потенциальными барьерами в интервале температур 290-470 K. В эксперименте наблюдался нетипичный температурный рост мощности длинноволновой полосы люминесценции с энергией 0.3 эВ. При повышении температуры до 470K оптическая мощностьизлучения увеличивалась в 1.5-2 раза. Для объяснения необычной температурной зависимости мощности излучения был проведен теоретический анализ процессов рекомбинации и переноса носителей заряда в исследуемой гетероструктуре. |
| Ключевые слова | электролюминесценция |
|
светодиодные гетероструктуры гетероструктуры n-GaSb гетероструктуры n-InGaAsSb гетероструктуры p-AlGaAsSb полупроводниковые гетероструктуры |
|
| Другие авторы | Петухов, А. А. |
|
Михайлова, М. П. Зегря, Г. Г. Иванов, Э .В. Яковлев, Ю. П. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 6. - С. 794-800 |
| Имя макрообъекта | Данилов_особенности |
| Тип документа | b |
