Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
Данилов, Л. В., Петухов, А. А., Михайлова, М. П., Зегря, Г. Г. , Иванов, Э .В., Яковлев, Ю. П.
Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 6. - С. 794-800 .-
Данилов_особенности
