| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Работа посвящена теоретическому исследованию влияния электростатического потенциала, индуцированного носителями заряда одного знака, локализованными в глубокой квантовой яме, на вольтамперные характеристики фотоприемных гетероструктур. На примере p-i-n-структуры с одиночной глубокой квантовой ямой для электронов, находящейся в i-области, показано, что экранирование внешнего приложенного электрического поля приводит к увеличению дифференциальной фотопроводимости такой гетероструктуры по сравнению с p-i-n-структурой без промежуточного двумерного слоя. |
| Ключевые слова | электростатическое экранирование |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 9. - С. 1196-1201 |
| Имя макрообъекта | Данилов_влияние |
