| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/684258267 |
| Дата корректировки | 15:50:31 6 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.09.44883.8509 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Данилов, Л. В. | |
|
Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами Электронный ресурс |
|
| Effect of electrostatic screening on the photoelectric properties of heterostructures with deep quantum wells | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Работа посвящена теоретическому исследованию влияния электростатического потенциала, индуцированного носителями заряда одного знака, локализованными в глубокой квантовой яме, на вольтамперные характеристики фотоприемных гетероструктур. На примере p-i-n-структуры с одиночной глубокой квантовой ямой для электронов, находящейся в i-области, показано, что экранирование внешнего приложенного электрического поля приводит к увеличению дифференциальной фотопроводимости такой гетероструктуры по сравнению с p-i-n-структурой без промежуточного двумерного слоя. |
| Ключевые слова | электростатическое экранирование |
|
фотоприемные гетероструктуры глубокие квантовые ямы фотопроводимость фотодетекторы |
|
|
Михайлова, М. П. Андреев, И. А. Зегря, Г. Г. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 9. - С. 1196-1201 |
| Имя макрообъекта | Данилов_влияние |
| Тип документа | b |
