| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Вертикальный транспорт исследован в гетеропереходах II типа с двухбарьерной квантовой ямой AlSb/InAs/GaSb/AlSb, выращенной методом МОГФЭ (MOVPE) на подложке n-InAs(100), в квантующих магнитных полях до B = 14 Тл при низких температурах, T = 1.5 и 4.2K. Ширина квантовых ям выбиралась из условия получения инвертированной зонной структуры. Измерения осцилляций Шубникова-де-Гааза проводились при двух ориентациях магнитного поля (перпендикулярной и параллельной) относительно плоскости структуры. Установлено, что проводимость в исследуемой структуре осуществлялась как трехмерными (3D) электронами подложки, так и двумерными (2D) электронами квантовой ямы InAs в условиях квантового предела для объемных электронов (B > 5Tл). Определены концентрации электронов в подложке и в квантовой яме InAs, а также g-фактор для трехмерных носителей из спинового расщепления нулевого уровня Ландау. Показано, что максимумы кондактанса в магнитном поле, перпендикулярном плоскости структуры и параллельном току через структуру, в полях B > 9Тл соответствуют резонансному туннелированию 3D электронов из подложки-эмиттера в квантовую яму InAs через 2D электронные состояния уровней Ландау. |
| Ключевые слова | гетеропереходы II типа |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 10. - С. 1393-1399 |
|
| Имя макрообъекта | Михайлова_вертикальный |
