| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686248045 |
| Дата корректировки | 16:33:08 29 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.10.45019.8598 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Михайлова, М. П. | |
|
Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле Электронный ресурс |
|
| Vertical transport in type II heterojunctions with composite InAs/GaSb/AlSb quantum wells in high magnetic field | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 29 назв. |
| Аннотация | Вертикальный транспорт исследован в гетеропереходах II типа с двухбарьерной квантовой ямой AlSb/InAs/GaSb/AlSb, выращенной методом МОГФЭ (MOVPE) на подложке n-InAs(100), в квантующих магнитных полях до B = 14 Тл при низких температурах, T = 1.5 и 4.2K. Ширина квантовых ям выбиралась из условия получения инвертированной зонной структуры. Измерения осцилляций Шубникова-де-Гааза проводились при двух ориентациях магнитного поля (перпендикулярной и параллельной) относительно плоскости структуры. Установлено, что проводимость в исследуемой структуре осуществлялась как трехмерными (3D) электронами подложки, так и двумерными (2D) электронами квантовой ямы InAs в условиях квантового предела для объемных электронов (B > 5Tл). Определены концентрации электронов в подложке и в квантовой яме InAs, а также g-фактор для трехмерных носителей из спинового расщепления нулевого уровня Ландау. Показано, что максимумы кондактанса в магнитном поле, перпендикулярном плоскости структуры и параллельном току через структуру, в полях B > 9Тл соответствуют резонансному туннелированию 3D электронов из подложки-эмиттера в квантовую яму InAs через 2D электронные состояния уровней Ландау. |
| Ключевые слова | гетеропереходы II типа |
|
вертикальный транспорт композитные квантовые ямы осцилляции Шубникова-де-Гааза |
|
|
Березовец, В. А. Парфеньев, Р. В. Данилов, Л. В. Сафончик, М. О. Hospodkova, A. Pangrac, J. Hulicius, E. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 10. - С. 1393-1399 |
|
| Имя макрообъекта | Михайлова_вертикальный |
| Тип документа | b |
