Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2-300K - Статьи - Базы данных - БГТУ

Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2-300K

Авторы: Мынбаев, К. Д. Баженов, Н. Л. Семакова, А. А. Михайлова, М. П. Стоянов, Н. Д. Кижаев, С. С. Молчанов, С. С. Черняев, А. В. Lipsanen, H. Бугров, В. Е.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
Автор	Мынбаев, К. Д.
Заглавие	Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2-300K
Физич. носитель	Электронный ресурс
Аннотация	Исследована электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAsSbP и InAsSb/InAsSbP, выращенных на подложках InAs, в диапазоне температур T = 4.2-300K. При низких температурах (T = 4.2-100K) обнаружен эффект возникновения стимулированного излучения на длинах волн 3.03 и 3.55 мкм для структур InAs/InAsSbP и InAsSb/InAsSbP cooтветственно, с резонатором, сформированным перпендикулярно плоскости роста. Излучение становилось спонтанным при T > 70K из-за резонансного "включения" оже-процесса CHHS, при котором энергия рекомбинирующей электронно-дырочной пары передается дырке с переходом последней в спин-орбитально отщепленную зону, и оставалось таковым c увеличением температуры из-за усиления влияния других оже-процессов. Полученные результаты показывают перспективность использования структур на основе InAs/InAs(Sb)/InAsSbP для создания вертикально-излучающих лазеров среднего инфракрасного диапазона.
Ключевые слова	светодиодные гетероструктуры
Другие авторы	Баженов, Н. Л.
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2017
Прочая информация	Т. 51, вып. 2. - С. 247-252
Имя макрообъекта	Мынбаев_электролюминесценция