| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678978855 |
| Дата корректировки | 13:28:01 7 июля 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2017.02.44113.8305 |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Мынбаев, К. Д. |
| Заглавие | Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2-300K |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in 4.2-300K temperature range | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Исследована электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAsSbP и InAsSb/InAsSbP, выращенных на подложках InAs, в диапазоне температур T = 4.2-300K. При низких температурах (T = 4.2-100K) обнаружен эффект возникновения стимулированного излучения на длинах волн 3.03 и 3.55 мкм для структур InAs/InAsSbP и InAsSb/InAsSbP cooтветственно, с резонатором, сформированным перпендикулярно плоскости роста. Излучение становилось спонтанным при T > 70K из-за резонансного "включения" оже-процесса CHHS, при котором энергия рекомбинирующей электронно-дырочной пары передается дырке с переходом последней в спин-орбитально отщепленную зону, и оставалось таковым c увеличением температуры из-за усиления влияния других оже-процессов. Полученные результаты показывают перспективность использования структур на основе InAs/InAs(Sb)/InAsSbP для создания вертикально-излучающих лазеров среднего инфракрасного диапазона. |
| Ключевые слова | светодиодные гетероструктуры |
|
гетероструктуры электролюминесценция вертикально-излучающие лазеры светодиоды полупроводниковые соединения узкозонные полупроводники полупроводники |
|
| Другие авторы | Баженов, Н. Л. |
|
Семакова, А. А. Михайлова, М. П. Стоянов, Н. Д. Кижаев, С. С. Молчанов, С. С. Астахова, А. П. Черняев, А. В. Lipsanen, H. Бугров, В. Е. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 2. - С. 247-252 |
| Имя макрообъекта | Мынбаев_электролюминесценция |
| Тип документа | b |
