Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Бугров, В. Е.

Статьи. Автор - Бугров, В. Е.

• Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
  Павлов, Н. В., Зегря, Г. Г. , Зегря, А. Г., Бугров, В. Е.
  
  Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 207-220 Павлов_внутризонное
• Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2-300K
  Мынбаев, К. Д. , Баженов, Н. Л., Семакова, А. А., Михайлова, М. П., Стоянов, Н. Д., Кижаев, С. С., Молчанов, С. С., Черняев, А. В., Lipsanen, H. , Бугров, В. Е.
  
  ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 2. - С. 247-252 .- Мынбаев_электролюминесценция
• Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
  Шарофидинов, Ш. Ш., Николаев, В. И., Смирнов, А. Н., Чикиряка, А. В., Никитина, И. П., Одноблюдов, М. А., Бугров, В. Е., Романов, А. Е.
  
  Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 4. - С. 549-552 .- Шарофидинов_снижение
• Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400нм
  Егоров, А. Ю., Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И. , Бабичев, А. В., Неведомский, В. Н., Бугров, В. Е.
  
  Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400нм, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 624-627 .- Егоров_оптические
• Хлоридная эпитаксия слоев бета-Ga[2]O[3] на сапфировых подложках базисной ориентации
  Николаев, В. И., Степанов, С. И., Шарофидинов, Ш. Ш., Головатенко, А. А., Никитина, И. П., Смирнов, А. Н., Бугров, В. Е., Романов, А. Е., Брунков, П. Н., Кириленко, Д. А.
  
  Хлоридная эпитаксия слоев бета-Ga[2]O[3] на сапфировых подложках базисной ориентации , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 997-1000 Николаев_хлоридная
• Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре
  Бабичев, А. В., Гладышев, А. Г., Курочкин, А. С., Колодезный, Е. С., Соколовский, Г. С., Бугров, В. Е., Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И. , Bousseksou, A., Егоров, А. Ю.
  
  Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 954-957 Бабичев_лазерная
• Усилительные свойства "тонких" упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
  Новиков, И. И. , Карачинский, Л. Я., Колодезный, Е. С., Бугров, В. Е., Курочкин, А. С., Гладышев, А. Г., Бабичев, А. В., Задиранов, Ю. М., Усикова, А. А., Егоров, А. Ю.
  
  Усилительные свойства "тонких" упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1429-1433 .- Новиков_усилительные
• Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
  Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И. , Бабичев, А. В., Гладышев, А. Г., Колодезный, Е. С., Курочкин, А. С., Климов, А. А., Денисов, Д. В., Бугров, В. Е., Егоров, А. Ю.
  
  Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs, [Электронный ресурс] ил. Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 127, вып. 6. - С. 963-966 Карачинский_оптическое