Усилительные свойства "тонких" упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм - Статьи - Базы данных - БГТУ

Усилительные свойства "тонких" упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм

Авторы: Новиков, И. И. Карачинский, Л. Я. Колодезный, Е. С. Бугров, В. Е. Курочкин, А. С. Гладышев, А. Г. Бабичев, А. В. Задиранов, Ю. М. Усикова, А. А. Егоров, А. Ю.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Усилительные свойства "тонких" упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм Электронный ресурс
Аннотация	Представлены результаты экспериментального исследования усилительных свойств "тонких", толщиной 3.2 нм, упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм. Результаты исследования пороговых и усилительных характеристик полосковых лазерных диодов с активными областями на основе "тонких" квантовых ям со степенью рассогласования параметра кристаллической решетки с материалом подложки +1.0% показали, что исследуемые квантовые ямы демонстрируют высокое значение коэффициента модового усиления - 11 см{-1} и низкое значение плотности тока прозрачности - 46 А/см{2} на одну квантовую яму.
Ключевые слова	упругонапряженные квантовые ямы
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2016
Прочая информация	Т. 50, вып. 10. - С. 1429-1433
Имя макрообъекта	Новиков_усилительные