Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии - Статьи - Базы данных - БГТУ

Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии

Авторы: Шарофидинов, Ш. Ш. Николаев, В. И. Смирнов, А. Н. Чикиряка, А. В. Никитина, И. П. Одноблюдов, М. А. Бугров, В. Е. Романов, А. Е.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии Электронный ресурс
Аннотация	Основной проблемой при эпитаксиальном росте толстых слоев AlN на подложке Si является образование трещин, что затрудняет использование подобных структур для создания полупроводниковых приборов. В настоящей работе была продемонстрирована возможность получения слоев AlN без трещин толщиной более 1 мкм с зеркально-гладкой поверхностью методом хлорид-гидридной эпитаксии. Свойства выращенных слоев были исследованы методами рентгеновской дифрактометрии, оптической и сканирующей электронной микроскопии и рамановской спектроскопии.
Ключевые слова	хлоридно-гидридная эпитаксия
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2016
Прочая информация	Т. 50, вып. 4. - С. 549-552
Имя макрообъекта	Шарофидинов_снижение