| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670670121 |
| Дата корректировки | 9:24:51 2 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Шарофидинов, Ш. Ш. | |
|
Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Reduction of cracking during the growth AlN on Si substrates by chloride-hygride epitaxy | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Основной проблемой при эпитаксиальном росте толстых слоев AlN на подложке Si является образование трещин, что затрудняет использование подобных структур для создания полупроводниковых приборов. В настоящей работе была продемонстрирована возможность получения слоев AlN без трещин толщиной более 1 мкм с зеркально-гладкой поверхностью методом хлорид-гидридной эпитаксии. Свойства выращенных слоев были исследованы методами рентгеновской дифрактометрии, оптической и сканирующей электронной микроскопии и рамановской спектроскопии. |
| Ключевые слова | хлоридно-гидридная эпитаксия |
|
нитрид алюминия эпитаксиальные слои силан полупроводниковые приборы прямозонные полупроводники рентгеновская дифрактометрия спектроскопия |
|
|
Николаев, В. И. Смирнов, А. Н. Чикиряка, А. В. Никитина, И. П. Одноблюдов, М. А. Бугров, В. Е. Романов, А. Е. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 4. - С. 549-552 |
| Имя макрообъекта | Шарофидинов_снижение |
| Тип документа | b |
