Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Шарофидинов, Ш. Ш.

Статьи. Автор - Шарофидинов, Ш. Ш.

• Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
  Шарофидинов, Ш. Ш., Николаев, В. И., Смирнов, А. Н., Чикиряка, А. В., Никитина, И. П., Одноблюдов, М. А., Бугров, В. Е., Романов, А. Е.
  
  Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 4. - С. 549-552 .- Шарофидинов_снижение
• Хлоридная эпитаксия слоев бета-Ga[2]O[3] на сапфировых подложках базисной ориентации
  Николаев, В. И., Степанов, С. И., Шарофидинов, Ш. Ш., Головатенко, А. А., Никитина, И. П., Смирнов, А. Н., Бугров, В. Е., Романов, А. Е., Брунков, П. Н., Кириленко, Д. А.
  
  Хлоридная эпитаксия слоев бета-Ga[2]O[3] на сапфировых подложках базисной ориентации , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 997-1000 Николаев_хлоридная
• Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si
  Кукушкин, С. А., Шарофидинов, Ш. Ш.
  
  Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2338-2343 .- Кукушкин_новый
• Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия
  Сергеева, О. Н., Солнышкин, А. В., Киселев, Д. А., Ильина, Т. С.., Кукушкин, С. А., Шарофидинов, Ш. Ш., Каптелов, Е. Ю., Пронин, И. П.
  
  Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2379-2384 .- Сергеева_влияние
• Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
  Мизеров, А. М., Кукушкин, С. А., Шарофидинов, Ш. Ш., Осипов, А. В., Тимошнев, С. Н. , Шубина, К. Ю., Березовская, Т. Н., Мохов, Д. В., Буравлев, А. Д.
  
  Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2289-2293 .- Мизеров_метод