Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
Шарофидинов, Ш. Ш., Николаев, В. И., Смирнов, А. Н., Чикиряка, А. В., Никитина, И. П., Одноблюдов, М. А., Бугров, В. Е., Романов, А. Е.
Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 4. - С. 549-552 .-
Шарофидинов_снижение
