| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (обзор) Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Обсуждаются процессы излучательной рекомбинации и ударной ионизации в светоизлучающих структурах на основе объемных полупроводников, гетероструктур с высокими потенциальными барьерами, наноструктур с глубокими квантовыми ямами и нанокристаллов с квантовыми точками. Показано, что увеличение квантовой эффективности и повышение оптической мощности люминесценции во всех исследованных структурах обусловлены общим физическим механизмом - созданием в процессе ударной ионизации дополнительных электронно-дырочных пар горячими носителями заряда, разогретыми на большом скачке потенциала на гетерогранице при токовой накачке, или за счет умножения носителей в процессе мультиэкситонной генерации в нанокристаллах при освещении высокоэнергетическими фотонами. |
| Ключевые слова | излучательная рекомбинация |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 12. - С. 1267-1288 |
| Имя макрообъекта | Михайлова_излучательная |
