| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677779522 |
| Дата корректировки | 16:59:14 23 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.12.50226.9509 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Михайлова, М. П. | |
|
Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (обзор) Электронный ресурс |
|
| Radiative Recombination and Impact Ionization in Semiconductor Nanostructures (a review) | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 100 назв. |
| Аннотация | Обсуждаются процессы излучательной рекомбинации и ударной ионизации в светоизлучающих структурах на основе объемных полупроводников, гетероструктур с высокими потенциальными барьерами, наноструктур с глубокими квантовыми ямами и нанокристаллов с квантовыми точками. Показано, что увеличение квантовой эффективности и повышение оптической мощности люминесценции во всех исследованных структурах обусловлены общим физическим механизмом - созданием в процессе ударной ионизации дополнительных электронно-дырочных пар горячими носителями заряда, разогретыми на большом скачке потенциала на гетерогранице при токовой накачке, или за счет умножения носителей в процессе мультиэкситонной генерации в нанокристаллах при освещении высокоэнергетическими фотонами. |
| Копьёв, П. С. | |
| Ключевые слова | излучательная рекомбинация |
|
ударная ионизация полупроводниковые наноструктуры наноструктуры гетероструктуры квантовые ямы квантовые точки полупроводники |
|
|
Иванов, Э. В. Данилов, Л. В. Калинина, К. В. Яковлев, Ю. П. Копьев, П. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 12. - С. 1267-1288 |
| Имя макрообъекта | Михайлова_излучательная |
| Тип документа | b |
