Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Иванов, Э. В.

Статьи. Автор - Иванов, Э. В.

• Электролюминесценция в гетероструктурах n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
  Михайлова, М. П., Лёвин, Р. В., Иванов, Э. В., Данилов, Л. В., Левин, Р. В., Андреев, И. А., Куницына, Е. В., Яковлев, Ю. П.
  
  Электролюминесценция в гетероструктурах n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ, [Текст] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2019 .- Т. 53, вып. 1. - С. 50-54 .- Михайлова_электролюминесценция
• Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой
  Михайлова, М. П., Андреев, И. А., Коновалов, Г. Г., Данилов, Л. В., Иванов, Э. В., Куницына, Е. В., Ильинская, Н. Д., Левин, Р. В., Пушный, Б. В., Яковлев, Ю. П.
  
  ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 8. - С. 906-911 .- Михайлова_эффект
• Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (обзор)
  Михайлова, М. П., Копьёв, П. С. , Иванов, Э. В., Данилов, Л. В., Калинина, К. В., Яковлев, Ю. П., Копьев, П. С.
  
  Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (обзор), [Электронный ресурс] цв. ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 12. - С. 1267-1288 .- Михайлова_излучательная
• Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
  Куницына, Е. В., Андреев, И. А., Коновалов, Г. Г., Иванов, Э. В., Пивоварова, А. А., Ильинская, Н. Д., Яковлев, Ю. П.
  
  Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1094-1099 Куницына_фотодиоды
• Узкозонные гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP (y = 0.09.0.16) для спектрального диапазона 4.6 мю m, полученные методом МОГФЭ
  Романов, В. В., Иванов, Э. В., Моисеев, К. Д.
  
  Узкозонные гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP (y = 0.09.0.16) для спектрального диапазона 4.6 мю m, полученные методом МОГФЭ, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 10. - С. 1746-1753 .- Романов_узкозонные
• Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP
  Романов, В. В., Иванов, Э. В., Моисеев, К. Д.
  
  Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2020 .- Т. 62, вып. 11. - С. 1822-1827 .- Романов_формирование
• Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа n-InAs/n-InAsSbP
  Романов, В. В., Иванов, Э. В., Моисеевa, К. Д.
  
  Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа n-InAs/n-InAsSbP, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 3. - С. 585-590 .- Романов_перестройка
• Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6-5.3 мкм
  Романов, В. В., Иванов, Э. В., Пивоварова, А. А., Моисеев, К. Д., Яковлев, Ю. П.
  
  Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6-5.3 мкм, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 202-206 Романов_длинноволновые