| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Созданы и исследованы неохлаждаемые GaSb/GaAlAsSb-фотодиоды для спектрального диапазона 1.1-1.85 мкм. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области n = 2 · 10{15} см{-3}. Емкость фотодиодов составляла 70-110пФ при диаметре чувствительной площадки 300 мкм и 150-250 пФ при диаметре 500 мкм соответственно. |
| Ключевые слова | фотодиоды |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 9. - С. 1094-1099 |
|
| Имя макрообъекта | Куницына_фотодиоды |
