Поиск

Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур

Авторы: Куницына, Е. В. Андреев, И. А. Коновалов, Г. Г. Иванов, Э. В. Пивоварова, А. А. Ильинская, Н. Д. Яковлев, Ю. П.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/689705753
Дата корректировки 17:03:24 8 ноября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.09.46158.8830
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Куницына, Е. В.
Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
Электронный ресурс
Photydoides based on GaSb/GaAlAsSb Heterostructures for the Near-Infrared Spectral Range
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 14 назв.
Аннотация Созданы и исследованы неохлаждаемые GaSb/GaAlAsSb-фотодиоды для спектрального диапазона 1.1-1.85 мкм. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области n = 2 · 10{15} см{-3}. Емкость фотодиодов составляла 70-110пФ при диаметре чувствительной площадки 300 мкм и 150-250 пФ при диаметре 500 мкм соответственно.
Ключевые слова фотодиоды
антимонид галлия
гетероструктуры
спектральная чувствительность
Андреев, И. А.
Коновалов, Г. Г.
Иванов, Э. В.
Пивоварова, А. А.
Ильинская, Н. Д.
Яковлев, Ю. П.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 9. - С. 1094-1099
Имя макрообъекта Куницына_фотодиоды
Тип документа b