|
Аннотация
|
Сообщаетсяоб обнаружении значительного усиленияфототока /фотопроводимости при малых обратных смещениях в гетероструктуре II типа n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой InAs, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При воздействии на гетероструктуру монохроматическим излучением с длиной волны 1.2-1.6 мкм (при 77K) и приложении обратного смещения в диапазоне 5-200 мВ наблюдалось резкое возрастание фототока на 2 порядка. Оптическое усиление зависело от приложенного напряжения и возрастало до значения 2 .5 · 10{2} при обратном смещении 800мВ. Теоретически установлено, что основную роль в наблюдаемом явлении играет экранирование внешнего электрического поля электронами, локализованными в глубокой квантовой яме, а также туннельный механизм переноса носителей заряда с малой эффективной массой. Показано, что исследуемый эффект усиления фототока является общим для изотипных и анизотипных гетеропереходов II типа, в том числе для структур с квантовыми ямами и сверхрешетками. |
