| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689443397 |
| Дата корректировки | 16:15:57 5 ноября 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2018.08.46217.8842 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Михайлова, М. П. |
| Заглавие | Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| The photoconductivity amplification phenomenon in the type II n-GaSb/InAs/p-GaSb heterostructure with a single quantum well | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Сообщаетсяоб обнаружении значительного усиленияфототока /фотопроводимости при малых обратных смещениях в гетероструктуре II типа n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой InAs, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При воздействии на гетероструктуру монохроматическим излучением с длиной волны 1.2-1.6 мкм (при 77K) и приложении обратного смещения в диапазоне 5-200 мВ наблюдалось резкое возрастание фототока на 2 порядка. Оптическое усиление зависело от приложенного напряжения и возрастало до значения 2 .5 · 10{2} при обратном смещении 800мВ. Теоретически установлено, что основную роль в наблюдаемом явлении играет экранирование внешнего электрического поля электронами, локализованными в глубокой квантовой яме, а также туннельный механизм переноса носителей заряда с малой эффективной массой. Показано, что исследуемый эффект усиления фототока является общим для изотипных и анизотипных гетеропереходов II типа, в том числе для структур с квантовыми ямами и сверхрешетками. |
| Ключевые слова | фотопроводимость |
|
гетероструктуры квантовые ямы одиночные квантовые ямы газофазная эпитаксия |
|
|
Андреев, И. А. Коновалов, Г. Г. Данилов, Л. В. Иванов, Э. В. Куницына, Е. В. Ильинская, Н. Д. Левин, Р. В. Пушный, Б. В. Яковлев, Ю. П. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 8. - С. 906-911 |
| Имя макрообъекта | Михайлова_эффект |
| Тип документа | b |
