| Индекс УДК | 539.21 |
|
Узкозонные гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP (y = 0.09.0.16) для спектрального диапазона 4.6 мю m, полученные методом МОГФЭ Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений были получены асимметричные гетероструктуры n-InAs/InAs[1-y]Sb[y]/p-InAsSbP с узкозонным активным слоем в интервале составов y = 0.09-0.16. Электролюминесценция при комнатной температуре наблюдалась вплоть до длины волны лямбда = 5.1 мю m в максимуме спектра. Исследование спектров низкотемпературной электролюминесценции позволило установить существование двух каналов излучательной рекомбинации, обусловленных природой гетерограницы InAsSb/InAsSbP. Продемонстрировано влияние химии поверхности активного слоя на состав наращиваемого барьерного слоя и на формирование гетероперехода InAsSb/InAsSbP при увеличении концентрации сурьмы в твердом растворе InAsSb. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
| Другие авторы | Иванов, Э. В. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 10. - С. 1746-1753 |
| Имя макрообъекта | Романов_узкозонные |
