| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680797986 |
| Дата корректировки | 14:52:43 28 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.10.48244.483 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Романов, В. В. | |
|
Узкозонные гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP (y = 0.09.0.16) для спектрального диапазона 4.6 мю m, полученные методом МОГФЭ Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений были получены асимметричные гетероструктуры n-InAs/InAs[1-y]Sb[y]/p-InAsSbP с узкозонным активным слоем в интервале составов y = 0.09-0.16. Электролюминесценция при комнатной температуре наблюдалась вплоть до длины волны лямбда = 5.1 мю m в максимуме спектра. Исследование спектров низкотемпературной электролюминесценции позволило установить существование двух каналов излучательной рекомбинации, обусловленных природой гетерограницы InAsSb/InAsSbP. Продемонстрировано влияние химии поверхности активного слоя на состав наращиваемого барьерного слоя и на формирование гетероперехода InAsSb/InAsSbP при увеличении концентрации сурьмы в твердом растворе InAsSb. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
антимониды газофазная эпитаксия металлоорганические соединения подложки арсенида индия арсенид индия электролюминесцентные свойства люминесценция гетеропереходы |
|
| Другие авторы | Иванов, Э. В. |
| Моисеев, К. Д. | |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 10. - С. 1746-1753 |
| Имя макрообъекта | Романов_узкозонные |
| Тип документа | b |
