| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695818046 |
| Дата корректировки | 11:02:44 18 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.03.47284.8979 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Привезенцев, В. В. | |
|
Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами {132}Xe{26+} с энергией 167МэВ Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Подложки монокристаллического n-Si с ориентацией (100) были имплантированы ионами {64}Zn{+} с дозой 5 · 10{16} см{-2} и энергией 50 кэВ. Затем образцы подвергались облучению при комнатной температуре ионами {132}Xe{26+} с энергией 167МэВ в диапазоне флюенсов от 1 · 10{12} до 5 · 10{14} см{-2}. Визуализация поверхности и поперечного сечения образцов проводилась с помощью растровой электронной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Распределение имплантированного цинка и его оксида исследовалось методом времяпролетной вторично-ионной масс. После облучения Xe на поверхности образца обнаружены кластеры, состоящие из смеси Zn·ZnO, и поверхностные поры. В подповерхностном слое аморфизованного кремния зафиксированы фазы цинка и его оксида. После облучения Xe с флюенсом 5 · 10{14} см{-2} кластеры цинка или его оксида используемыми методами исследований в образцах не обнаружены. |
| Ключевые слова | кремниевые подложки |
|
флюенсы облучения ионами кластеры кремний цинк наночастицы Zn ионная имплантация оксидные кристаллы полупроводниковые кристаллы |
|
|
Куликаускас, В. С. Скуратов, В. А. Зилова, О. С. Бурмистров, А. А. Пресняков, М. Ю. Горячев, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 3. - С. 332-339 |
|
| Имя макрообъекта | Привезенцев_изменение |
| Тип документа | b |
