-
Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами {132}Xe{26+} с энергией 167МэВ
Привезенцев, В. В., Куликаускас, В. С., Скуратов, В. А., Зилова, О. С., Бурмистров, А. А., Пресняков, М. Ю., Горячев, А. В.
Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами {132}Xe{26+} с энергией 167МэВ, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 332-339
Привезенцев_изменение
-
лияние ионного облучения на микроструктуру дисперсно-упрочненной оксидами стали
Власенко, С. В., Бенедиктович, А. И., Ульяненкова, Т. А., Углов, В. В., Скуратов, В. А., О'Коннел, Ж., Нитлинг, Й.
ил., табл.
Вестник БГУ. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика, 2016, № 2. - С. 8-16
-
Влияние облучения высокоэнергетическими ионами Xe на структуру и фотолюминесценцию кремния и диоксида кремния с нанокластерами InAs
Комаров, Ф. Ф., Мильчанин, О. В., Пархоменко, И. Н., Власукова, Л. А., Нечаев, Н. С., Скуратов, В. А., Ювченко, В. Н.
Влияние облучения высокоэнергетическими ионами Xe на структуру и фотолюминесценцию кремния и диоксида кремния с нанокластерами InAs, Ф. Ф. Комаров, О. В. Мильчанин, И. Н. Пархоменко [и др.]
6 рис.
// Инженерно-физический журнал .-
2019 .-
Т. 92, № 2. - С. 527-535 .-
-
Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ
Поклонский, Н. А., Горбачук, Н. И., Во Куанг Нья, Шпаковский, С. В., Филипеня, В. А., Ластовский, С. Б., Скуратов, В. А.
Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ, [Текст]
ил., табл.
Вестник БГУ. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика, 2014, № 2. - С. 7-13
