| Индекс УДК | 539.2 |
|
Влияние облучения высокоэнергетическими ионами Xe на структуру и фотолюминесценцию кремния и диоксида кремния с нанокластерами InAs Ф. Ф. Комаров, О. В. Мильчанин, И. Н. Пархоменко [и др.] |
|
| Аннотация | Приведены результаты исследований структурных и оптических свойств нанокластеров InAs, сформированных методом ионной имплантации, в матрицах кремния и диоксида кремния. Обнаружено влияние термообработки при температуре 900° C и облучения ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсом 3 · 10{14} см{-2} на структуру и фотолюминесценцию сформированных систем. Установлено, что облучение ионами Xe ослабляет фотолюминесценцию системы "InAs в Si" в ближнем ИК-диапазоне. В случае системы "InAs в SiO[2]" облучение ионами Xe приводит к усилению интенсивности и уширению спектра люминесценции в видимой области спектра (550-750 нм). Обнаружено упорядочение нанокластеров и их вытягивание вдоль траектории ионов Xe в матрице SiO[2]. |
| Название источника | Инженерно-физический журнал |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 92, № 2. - С. 527-535 |
