| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | iphz19_to92_no2_ss527_ad1 |
| Дата корректировки | 9:53:45 29 апреля 2022 г. |
| Кодируемые данные | 220409s2019||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-iphz19_to92_no2_ss527_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Дагестанского государственного университета МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 539.2 |
| Индекс ББК | 22.37 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Комаров, Ф. Ф. 070 |
|
|
Влияние облучения высокоэнергетическими ионами Xe на структуру и фотолюминесценцию кремния и диоксида кремния с нанокластерами InAs Ф. Ф. Комаров, О. В. Мильчанин, И. Н. Пархоменко [и др.] |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | 6 рис. |
| Текст | |
| непосредственный | |
| Библиография | Библиогр.: с. 535 (18 назв. ) |
| Аннотация | Приведены результаты исследований структурных и оптических свойств нанокластеров InAs, сформированных методом ионной имплантации, в матрицах кремния и диоксида кремния. Обнаружено влияние термообработки при температуре 900° C и облучения ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсом 3 · 10{14} см{-2} на структуру и фотолюминесценцию сформированных систем. Установлено, что облучение ионами Xe ослабляет фотолюминесценцию системы "InAs в Si" в ближнем ИК-диапазоне. В случае системы "InAs в SiO[2]" облучение ионами Xe приводит к усилению интенсивности и уширению спектра люминесценции в видимой области спектра (550-750 нм). Обнаружено упорядочение нанокластеров и их вытягивание вдоль траектории ионов Xe в матрице SiO[2]. |
|
Физика AR-MARS Физика твердого тела. Кристаллография в целом AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
ионная имплантация нанокластеры быстрые тяжелые ионы треки термообработка кремний диоксид кремния резерфордовское обратное рассеяние просвечивающая электронная микроскопия фотолюминесценция высокоэнергетические ионы ксенон |
|
Мильчанин, О. В. 070 Пархоменко, И. Н. 070 Власукова, Л. А. 070 Нечаев, Н. С. 070 Скуратов, В. А. 070 Ювченко, В. Н. 070 |
|
| ISSN | 0021-0285 |
| Название источника | Инженерно-физический журнал |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 92, № 2. - С. 527-535 |
|
RU 36713090 20220409 RCR |
|
|
RU 36713090 20220409 |
|
|
RU AR-MARS 20220409 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20220409 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
iphz 2019 92 2 527 1 |
|
| 12904 | |
| Разное |
