| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами {132}Xe{26+} с энергией 167МэВ Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Подложки монокристаллического n-Si с ориентацией (100) были имплантированы ионами {64}Zn{+} с дозой 5 · 10{16} см{-2} и энергией 50 кэВ. Затем образцы подвергались облучению при комнатной температуре ионами {132}Xe{26+} с энергией 167МэВ в диапазоне флюенсов от 1 · 10{12} до 5 · 10{14} см{-2}. Визуализация поверхности и поперечного сечения образцов проводилась с помощью растровой электронной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Распределение имплантированного цинка и его оксида исследовалось методом времяпролетной вторично-ионной масс. После облучения Xe на поверхности образца обнаружены кластеры, состоящие из смеси Zn·ZnO, и поверхностные поры. В подповерхностном слое аморфизованного кремния зафиксированы фазы цинка и его оксида. После облучения Xe с флюенсом 5 · 10{14} см{-2} кластеры цинка или его оксида используемыми методами исследований в образцах не обнаружены. |
| Ключевые слова | кремниевые подложки |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 3. - С. 332-339 |
|
| Имя макрообъекта | Привезенцев_изменение |
