-
Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами {132}Xe{26+} с энергией 167МэВ
Привезенцев, В. В., Куликаускас, В. С., Скуратов, В. А., Зилова, О. С., Бурмистров, А. А., Пресняков, М. Ю., Горячев, А. В.
Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами {132}Xe{26+} с энергией 167МэВ, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 332-339
Привезенцев_изменение
-
Формирование преципитатов в Si, имплантированном ионами {64}Zn{+} и {16}O{+}
Привезенцев, В. В., Kириленко, Е. П., Горячев, А. В., Лютцау, А. В.
Формирование преципитатов в Si, имплантированном ионами {64}Zn{+} и {16}O{+}, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 827-835
Привезенцев_формирование
-
Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре
Привезенцев, В. В., Киселёв, Д. А., Сергеев, А. П., Куликаускас, В. С., Киселев, Д. А., Трифонов, А. Ю., Терещенко, А. Н.
Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре, [Электронный ресурс]
цв. ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 12. - С. 1376-1382 .-
Привезенцев_структура
-
Исследование кремния, легированного ионами цинка и отожженного в кислороде
Привезенцев, В. В., Кириленко, Е. П., Горячев, А. Н., Батраков, А. А.
Исследование кремния, легированного ионами цинка и отожженного в кислороде, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 187-192
Привезенцев_исследование
