Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Горячев, А. В.

Статьи. Автор - Горячев, А. В.

• Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами {132}Xe{26+} с энергией 167МэВ
  Привезенцев, В. В., Куликаускас, В. С., Скуратов, В. А., Зилова, О. С., Бурмистров, А. А., Пресняков, М. Ю., Горячев, А. В.
  
  Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами {132}Xe{26+} с энергией 167МэВ, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 332-339 Привезенцев_изменение
• Формирование преципитатов в Si, имплантированном ионами {64}Zn{+} и {16}O{+}
  Привезенцев, В. В., Kириленко, Е. П., Горячев, А. В., Лютцау, А. В.
  
  Формирование преципитатов в Si, имплантированном ионами {64}Zn{+} и {16}O{+}, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 827-835 Привезенцев_формирование