| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694177711 |
| Дата корректировки | 11:19:26 30 декабря 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2019.01.46990.8889 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Середин, П. В. | |
|
Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 37 назв. |
| Аннотация | С использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке монокристаллического кремния c-Si(111) и подложке с нанопористым буферным подслоем (por-Si) нами были выращены интегрированные гетероструктуры с наноколончатой морфологией пленки In[x]Ga[1-x]N. С привлечением комплекса спектроскопических методов анализа было показано, что рост наноколонок In[x]Ga[1-x]N на нанопористом буферном слое имеет ряд преимуществ по сравнению с ростом на c-Si. Данные pамановской и УФ-спектроскопии подтверждают рост наноколончатой структуры, а также находятся в согласии с данными рентгеновской дифракции из нашей предыдущей работы о том, что слой In[x]Ga[1-x]N находится в напряженном, нерелаксированном состоянии. Рост наноколонок In[x]Ga[1-x]N на пористом слое Si положительно отражается на оптических свойствах гетероструктур. При неизменной полуширине эмиссионной линии в спектре ФЛ интенсивность квантового выхода от образца гетероструктуры, выращенной на пористом буферном слое Si, выше на величину ~ 25%, чем интенсивность от пленки, выращенной на кристаллическом кремнии. |
| Ключевые слова | монокристаллический кремний |
|
кремний кремниевые подложки молекулярно-пучковая эпитаксия рамановская спектроскопия фотолюминесцентная спектроскопия ультрафиолетовая спектроскопия гетероструктуры |
|
|
Голощапов, Д. Л. Золотухин, Д. С. Леньшин, А. С. Лукин, А. Н. Мизеров, А. М. Никитина, Е. В. Арсентьев, И. Н. Leiste, Harald Rinke, Monika |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 1. - С. 70-76 |
|
| Имя макрообъекта | Середин_влияние |
| Тип документа | b |
