| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688149576 |
| Дата корректировки | 16:46:45 21 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.06.45930.8600 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Малин, Т. В. | |
|
Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN Электронный ресурс |
|
| Influence of sapphire nitridation level and nucleation layer enrichment with Al on the quality of epitaxial AlN layers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 37 назв. |
| Аннотация | Изучено влияние атомарного алюминия, нанесенного на подложку сапфира, нитридизованную в разной степени, на качество слоев AlN, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии. Нитридизация сапфира с формированием на его поверхности ~ 1 монослоя AlN обеспечивает рост слоев с более гладкой поверхностью и лучшего кристаллического качества по сравнению нитридизацией сапфира, приводящей к формированию нитридизованного слоя AlN толщиной ~ 2 монослоя. Изменение времени экспонирования нитридизованных подложек в потоке атомарного алюминия существенного влияния на параметры последующих слоeв AlN не оказывает. |
| Журавлёв, К. С. | |
| Ключевые слова | нитридизация сапфира |
|
сапфир алюминий атомарный алюминий нитрид алюминия нитридизованные подложки |
|
|
Милахин, Д. С. Мансуров, В. Г. Галицын, Ю. Г. Кожухов, А. С. Ратников, В. В. Смирнов, А. Н. Давыдов, В. Ю. Журавлeв, К. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 6. - С. 643-650 |
|
| Имя макрообъекта | Малин_влияние |
| Тип документа | b |
