| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686846738 |
| Дата корректировки | 14:50:54 6 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.12.45170.33 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Байдакова, Н. А. | |
|
Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов Электронный ресурс |
|
| Selective etching of Si, SiGe, Ge and its usage for increasing the efficiency of silicon solar cells | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | В работе для растворов КОН и HF : H[2]O[2] : CH[3]COOH исследована селективность травления SiGe-структур в зависимости от их состава. Полученные результаты предложено использовать для создания на кремнии субмикронного рельефа поверхности за счет селективного травления структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). В предлагаемом подходе наноостровки Ge(Si) служат маской для селективного травления Si в водном растворе KOH с добавлением изопропилового спирта, а затем удаляются с поверхности селективным травлением в HF : H[2]O[2] : CH[3]COOH. Экспериментально показано, что подобный подход позволяет создавать на кремнии субмикронный рельеф поверхности, который приводит к существенному уменьшению коэффициента отражения в широком спектральном диапазоне. Полагается, что предлагаемый метод создания рельефа поверхности может быть использован для повышения эффективности тонкопленочных солнечных элементов на основе кристаллического кремния. |
| Ключевые слова | cелективное травление |
|
кремниевые солнечные элементы тонкопленочные солнечные элементы наноостровки кремний |
|
|
Вербус, В. А. Морозова, Е. Е. Новиков, А. В. Скороходов, Е. В. Шалеев, М. В. Юрасов, Д. В. Hombe, A. Kurokawa, Y. Usami, N. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 12. - С. 1599-1604 |
|
| Имя макрообъекта | Байдакова_селективное |
| Тип документа | b |
