| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675947742 |
| Дата корректировки | 11:21:14 2 июня 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.05.49268.9317 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Середин, П. В. | |
|
Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si Электронный ресурс |
|
| Influence of a nanoporous silicon layer on practical implementation and features of epitaxial growth of GaN layers on SiC/por-Si/c-Si templates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 37 назв. |
| Аннотация | С использованием комплекса структурно-спектроскопических методов диагностики исследовано влияние переходного слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности выращивания слоев GaN технологией молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на темплейтах SiC/por-Si/c-Si. Показано, что введение переходного слоя нанопористого кремния в темплейт, в котором слой 3C-SiC был создан методом замещения атомов, дает ряд неоспоримых преимуществ по сравнению со стандартными подложками кремния. В частности, данный подход позволил снизить практически на 90% уровень напряжений кристаллической решетки в эпитаксиальном слое GaN и уменьшить долю вертикальных дислокаций в слое GaN. Слой GaN был выращен на поверхности слоя SiC, который, в свою очередь, находился на поверхности темплейта SiC/por-Si/c-Si. Впервые было обнаружено, что использование темплейта SiC/por-Si/c-Si приводит к формированию более однородного по качеству слоя GaN без видимых протяженных дефектов. |
| Ключевые слова | нитрид галлия |
|
карбид кремния гибридные гетероструктуры нанопористый кремний молекулярно-пучковая эпитаксия плазменная активация азота темплейты широкозонные полупроводники полупроводники |
|
|
Голощапов, Д. Л. Золотухин, Д. С. Леньшин, А. С. Худяков, Ю. Ю. Мизеров, А. М. Тимошнев, С. Н. Арсентьев, И. Н. Бельтюков, А. Н. Leiste, Harald Кукушкин, С. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 5. - С. 491-503 |
|
| Имя макрообъекта | Середин_влияние |
| Тип документа | b |
