| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675873675 |
| Дата корректировки | 14:47:04 1 июня 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.04.49138.9323 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Середин, П. В. | |
|
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111) Электронный ресурс |
|
| Optical properties of hybrig heterostructures GaN/SiC/por-Si/Si(111) | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 54 назв. |
| Аннотация | Комплексом структурно-спектроскопических методов диагностики исследовано влияние переходного слоя нанопористого кремния на оптические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) на темплейтах SiC/por-Si/c-Si. Впервые показано, что использование технологии МПЭ ПА для синтеза GaN на виртуальной подложке SiC/por-Si/c-Si позволило нам получить пленку GaN со значительно более высоким структурным качеством и оптическим совершенством и при значительно более низкой температуре роста, чем в аналогичных работах, в которых демонстрировался рост с использованием пористых подложек Si. Использование нанопористого por-Si слоя позволяет улучшить структурные и морфологические свойства эпитаксиального слоя GaN, а также добиться у него уникальных оптических и электрофизических характеристик. Полученные данные послужат важным материалом для понимания основ физики наногетероструктур GaN/SiC/por-Si, способствуя их потенциальному применению в оптоэлектронике. |
| Ключевые слова | гибридные гетероструктуры |
|
карбид кремния нитрид галлия нанопористый кремний молекулярно-пучковая эпитаксия плазменная активация азота наногетероструктуры |
|
|
Голощапов, Д. Л. Золотухин, Д. С. Леньшин, А. С. Мизеров, А. М. Тимошнев, С. Н. Никитина, Е. В. Арсентьев, И. Н. Кукушкин, С. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 4. - С. 346-354 |
|
| Имя макрообъекта | Середин_оптические |
| Тип документа | b |
