| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675362385 |
| Дата корректировки | 9:02:25 27 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Тимофеев, В. А. | |
| Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn | |
| Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Изучены температурные и композиционные зависимости критической толщины 2D-3D перехода для пленки GeSiSn на поверхности Si(100). Впервые исследованы закономерности формирования многослойных структур, содержащих псевдоморфные слои GeSiSn непосредственно на Si без релаксированных буферных слоев. Методом просвечивающей электронной микроскопии показана возможность создания многослойных структур на основе псевдоморфных пленок GeSiSn и определены параметры кристаллической решетки. Выращенные структуры продемонстрировали фотолюминесценцию для содержания Sn в слоях GeSiSn от 3.5 до 5%. |
| Ключевые слова | псевдоморфные слои |
|
фотолюминесценция молекулярно-лучевая эпитаксия атомно-силовая микроскопия фотодиоды |
|
|
Никифоров, А. И. Туктамышев, А. Р. Есин, М. Ю. Машанов, В. И. Гутаковский, А. К. Байдакова, Н. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 12. - С. 1610-1614 |
|
| Имя макрообъекта | Тимофеев_напряженные |
| Тип документа | b |
