Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/671022100 |
Дата корректировки | 11:28:37 6 апреля 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Войтик |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 539.21 |
Соболев, Н. А. | |
Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода Электронный ресурс |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
Аннотация | Исследованы фотолюминесцентные свойства (113) дефектов, образующихся в Si-структуре после имплантации ионов кислорода с энергией 350 keV и дозами 1.7 · 10{13} - 1.7 · 10{15} cm{-2} и последующего отж ига при 700°C в течение 0.5 - 2 h в хлорсодержащей атмосфере. Независимо от дозы имплантации и времени отжига в спектрах фотолюминесценции доминирует линия с длиной волны 1.37 мю m, принадлежащая (113) дефекту. Зависимости интенсивности линии от дозы имплантации и длительности отжига характеризуются кривыми с максимумами. С ростом температуры измерения в диапазоне 64 - 120 K интенсивность линии монотонно уменьшается. |
Ключевые слова | кремний |
монокристаллический кремний имплантация ионами кислорода люминесцентные свойства дефектов |
|
Другие авторы | Калядин, А. Е. |
Аруев, П. Н. Забродский, В. В. Шек, Е. И. Штельмах, К. Ф. Карабешкин, К. В. |
|
Название источника | Физика твердого тела |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 58, вып. 12. - С. 2411-2414 |
Имя макрообъекта | Соболев_влияние |
Тип документа | b |