-
Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
Кукушкин, С. А., Буравлёв, А. Д., Мизеров, А. М., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Никитина, Е. В., Тимошнев, С. Н. , Буравлев, А. Д.
Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 190-198
Кукушкин_фотоэлектрические
-
Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
Егоров, В. К., Егоров, Е. В., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 4. - С. 755-761 .-
Егоров_структурная
-
Сравнительный анализ синтеза керамических композитов на основе ортофосфата лантана
Мезенцева, Л. П., Осипов, А. В., Уголков, В. Л., Коптелова, Л. А., Хамова, Т. В.
Сравнительный анализ синтеза керамических композитов на основе ортофосфата лантана, Л. П. Мезенцева, А. В. Осипов, В. Л. Уголков [и др.]
ил., табл.
// Физика и химия стекла .-
2023 .-
Т. 49, № 4. - С. 439-447 .-
-
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A{III}B{V} нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Штром, И. В., Сошников, И. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Цырлин, Г. Э.
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A{III}B{V} нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1525-1529
Резник_синтез
-
Синтез и ионная проводимость нового композитного твердого электролита в системе Bi[2]O[3]-BaO-Fe[2]O[3]
Мезенцева, Л. П., Синельщикова, О. Ю., Петров, С. А., Осипов, А. В., Беспрозванных, Н. В., Кучаева, С. К., Уголков, В. Л., Альмяшев, В. И., Химич, Н. Н.
Синтез и ионная проводимость нового композитного твердого электролита в системе Bi[2]O[3]-BaO-Fe[2]O[3], [Текст]
ил.
Физика и химия стекла, 2012, Т. 38, № 5. - С. 665-674
-
Керамика на основе наноразмерных порошков ортофосфатов системы LaPO[4]-YPO[4]-H[2]O
Мезенцева, Л. П., Кручинина, И. Ю., Осипов, А. В., Кучаева, С. К., Уголков, В. Л., Пугачев, К. Э.
Керамика на основе наноразмерных порошков ортофосфатов системы LaPO[4]-YPO[4]-H[2]O, [Текст]
ил.
Физика и химия стекла, 2012, Т. 38, № 5. - С. 675-686
-
Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В.
Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 3. - С. 414-420 .-
Кукушкин_отделение
-
Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Феоктистов, Н. А.
Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 3. - С. 587-593 .-
Кукушкин_двухстадийная
-
Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
Гращенко, А. С., Феоктистов, Н. А., Осипов, А. В., Калинина, Е. В., Кукушкин, С. А.
Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 651-658
Гращенко_фотоэлектрические
-
Физико-химические свойства керамики на основе системы LaPO[4]-DyPO[4]
Мезенцева, Л. П., Осипов, А. В., Уголков, В. Л., Акатов, А. А., Доильницын, В. А.
Физико-химические свойства керамики на основе системы LaPO[4]-DyPO[4], [[Текст]], Л. П. Мезенцева [и др.]
// Физика и химия стекла .-
2019 .-
Т. 45, № 4. - С. 343-347 .-
-
Топологические лазерно-индуцированные квантовые состояния в нанокластерных структурах: фундаментальные эффекты и возможные применения (электрофизика и оптика)
Аракелян, С. М., Худаберганов, Т. А., Истратов, А. В., Осипов, А. В., Хорьков, К. С.
Топологические лазерно-индуцированные квантовые состояния в нанокластерных структурах: фундаментальные эффекты и возможные применения (электрофизика и оптика), [Электронный ресурс]
ил.
Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 127, вып. 1. - С. 125-136
Аракелян_топологические
-
Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 12. - С. 2334-2337 .-
Кукушкин_механизм
-
Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
Мизеров, А. М., Кукушкин, С. А., Шарофидинов, Ш. Ш., Осипов, А. В., Тимошнев, С. Н. , Шубина, К. Ю., Березовская, Т. Н., Мохов, Д. В., Буравлев, А. Д.
Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 12. - С. 2289-2293 .-
Мизеров_метод
-
Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов
Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 12. - С. 2313-2315 .-
Гращенко_исследование
-
Физико-химические свойства нанопорошков и керамических образцов ортофосфатов РЗЭ
Мезенцева, Л. П., Кручинина, И. Ю., Осипов, А. В., Уголков, В. Л., Попова, В. Ф., Кучаева, С. К.
Физико-химические свойства нанопорошков и керамических образцов ортофосфатов РЗЭ, [[Текст]], Мезенцева Л. П. [и др.]
ил.
// Физика и химия стекла .-
2017 .-
Т. 43, № 1. - С. 116-125 .-
-
Химическая и термическая устойчивость фосфатных керамических матриц
Мезенцева, Л. П., Осипов, А. В., Акатов, А. А., Доильницын, В. А., Уголков, В. Л., Попова, В. Ф., Масленникова, Т. П., Дроздова, И. А.
Химическая и термическая устойчивость фосфатных керамических матриц, [[Текст]], Мезенцева Л. П. [и др.]
ил.
// Физика и химия стекла .-
2017 .-
Т. 43, № 1. - С. 126-135 .-
-
Синтез нанопорошков и физико-химические свойства керамических матриц систем LaPO[4]-YPO[4]-(H[2]O) и LaPO[4]-HoPO[4]-(H[2]O)
Уголков, В. Л., Мезенцева, Л. П., Осипов, А. В., Попова, В. Ф., Масленникова, Т. П., Акатов, А. А., Доильницын, В. А.
Синтез нанопорошков и физико-химические свойства керамических матриц систем LaPO[4]-YPO[4]-(H[2]O) и LaPO[4]-HoPO[4]-(H[2]O), [[Текст]], В. Л. Уголков [и др.]
// Журнал прикладной химии .-
2017 .-
Т. 90, вып. 1. - С. 31-37 .-
-
Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры
Китаев, Ю. Э., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В.
Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 10. - С. 2022-2027 .-
Китаев_новая
-
Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 9. - С. 1841-1846 .-
Кукушкин_механизм образования
-
Керамические композитные матрицы на основе системы LaPO[4]-ZrO[2]: получение и свойства
Мезенцева, Л. П., Осипов, А. В., Уголков, В. Л., Акатов, А. А., Коптелова, Л. А.
Керамические композитные матрицы на основе системы LaPO[4]-ZrO[2]: получение и свойства, Л. П. Мезенцева, А. В. Осипов, В. Л. Уголков [и др.]
ил.
// Физика и химия стекла .-
2022 .-
Т. 48, № 1. - С. 44-51 .-