-
Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца
Моисеев, К. Д., Кудрявцев, Ю. А., Чарикова, Т. Б., Луговых, А. М., Говоркова, Т. Е., Окулов, В. И.
Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 12. - С. 2325-2330 .-
Моисеев_проявление
-
Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с дельта-легированием марганцем
Луговых, А. М., Чарикова, Т. Б., Окулов, В. И., Моисеев, К. Д., Кудрявцев, Ю. А.
Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с дельта-легированием марганцем, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 11. - С. 2160-2163 .-
Луговых_особенности
-
Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Моисеев, К. Д., Романов, В. В., Кудрявцев, Ю. А.
Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 11. - С. 2203-2207 .-
Моисеев_особенности
-
Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии
Пархоменко, Я. А., Дементьев, П. А., Моисеев, К. Д.
Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 993-996
Пархоменко_квантовые
-
Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ
Романов, В. В., Дементьев, П. А., Моисеев, К. Д.
Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 927-931
Романов_влияние
-
Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb
Сокура, Л. А., Пархоменко, Я. А., Моисеев, К. Д., Неведомский, В. Н., Берт, Н. А.
Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1146-1150
Сокура_квантовые
-
Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs
Моисеев, К. Д., Неведомский, В. Н., Kudriavtsev, Yu., Escobosa-Echavarria, A., Lopez-Lopez, M.
Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1189-1195
Моисеев_дельта
-
Узкозонные гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP (y = 0.09.0.16) для спектрального диапазона 4.6 мю m, полученные методом МОГФЭ
Романов, В. В., Иванов, Э. В., Моисеев, К. Д.
Узкозонные гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP (y = 0.09.0.16) для спектрального диапазона 4.6 мю m, полученные методом МОГФЭ, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 10. - С. 1746-1753 .-
Романов_узкозонные
-
Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP
Романов, В. В., Иванов, Э. В., Моисеев, К. Д.
Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 11. - С. 1822-1827 .-
Романов_формирование
-
Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6-5.3 мкм
Романов, В. В., Иванов, Э. В., Пивоварова, А. А., Моисеев, К. Д., Яковлев, Ю. П.
Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6-5.3 мкм, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 202-206
Романов_длинноволновые
