| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Пархоменко, Я. А. |
|
Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Мы сообщаем о первых результатах по выращиванию квантовых точек в системе InSb/GaSb методом жидкофазной эпитаксии и исследованию их структурных характеристик методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что поверхностная плотность, форма и размеры наноостровков зависят от температуры наращивания и химии поверхности матрицы. Получены массивы квантовых точек InSb на подложках GaSb (001) в интервале температур T = 450-465°C, со средними размерами: высота h = 3 нм, продольный размер D = 30 нм и поверхностная плотность 3 · 10{9} см{-2}. |
| Ключевые слова | жидкофазная эпитаксия |
| Другие авторы | Дементьев, П. А. |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 993-996 |
|
| Имя макрообъекта | Пархоменко_квантовые |
