| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671549282 |
| Дата корректировки | 13:36:41 12 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Пархоменко, Я. А. |
|
Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Quantum dots in InSb/GaSb system grown by liquid-phase epitaxy method | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Мы сообщаем о первых результатах по выращиванию квантовых точек в системе InSb/GaSb методом жидкофазной эпитаксии и исследованию их структурных характеристик методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что поверхностная плотность, форма и размеры наноостровков зависят от температуры наращивания и химии поверхности матрицы. Получены массивы квантовых точек InSb на подложках GaSb (001) в интервале температур T = 450-465°C, со средними размерами: высота h = 3 нм, продольный размер D = 30 нм и поверхностная плотность 3 · 10{9} см{-2}. |
| Ключевые слова | жидкофазная эпитаксия |
|
квантовые точки атомно-силовая микроскопия эпитаксиальное наращивание антимонид индия антимонид галлия полупроводники |
|
| Другие авторы | Дементьев, П. А. |
| Моисеев, К. Д. | |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 993-996 |
|
| Имя макрообъекта | Пархоменко_квантовые |
| Тип документа | b |
