-
Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN
Александров, И. А., Журавлёв, К. С., Журавлев, К. С., Мансуров, В. Г.
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 191-194 .-
Александров_влияние
-
AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
Журавлев, К. С., Журавлёв, К. С., Малин, Т. В., Мансуров, В. Г. , Терещенко, О. Е., Ревизников, Д. Л., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Тихомиров, В. Г., Просвирин, И. П.
AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 3. - С. 395-402 .-
Журавлев_AlN
-
Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами
Александров, И. А., Журавлёв, К. С., Мансуров, В. Г. , Журавлев, К. С.
Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 8. - С. 1059-1063
Александров_замедление
-
Физико-химические аспекты формирования кристаллического слоя AlN на поверхности (0001)Al[2]O[3]
Мансуров, В. Г. , Журавлёв, К. С., Галицын, Ю. Г., Михайлов, Ю. И., Малин, Т. В., Милахин, Д. С., Журавлев, К. С.
Физико-химические аспекты формирования кристаллического слоя AlN на поверхности (0001)Al[2]O[3], [Электронный ресурс]
ил.
Химия в интересах устойчивого развития, 2019, Т. 27, № 3. - С. 317-322
Мансуров_физико-химические
-
Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3]
Милахин, Д. С., Малин, Т. В., Мансуров, В. Г. , Галицын, Ю. Г., Кожухов, А. С., Александров, И. А., Ржеуцкий, Н. В., Лебедок, Е. В., Разумец, Е. А., Журавлев, К. С.
Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3], [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 12. - С. 2327-2332 .-
Милахин_формирование
-
Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
Мансуров, В. Г. , Журавлёв, К. С., Галицын, Ю. Г., Малин, Т. В., Тийс, С. А., Федосенко, Е. В., Кожухов, А. С., Журавлев, К. С., Cora, Ildiko, Pecz, Bela
Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1407-1413
Мансуров_формирование
-
Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
Малин, Т. В., Журавлёв, К. С., Милахин, Д. С., Мансуров, В. Г. , Галицын, Ю. Г., Кожухов, А. С., Ратников, В. В., Смирнов, А. Н., Давыдов, В. Ю., Журавлeв, К. С.
Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 643-650
Малин_влияние
