-
Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой
Михайлова, М. П., Андреев, И. А., Коновалов, Г. Г., Данилов, Л. В., Иванов, Э. В., Куницына, Е. В., Ильинская, Н. Д., Левин, Р. В., Пушный, Б. В., Яковлев, Ю. П.
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 8. - С. 906-911 .-
Михайлова_эффект
-
Быстродействующие мостиковые фотоприемники для средней инфракрасной области спектра
Пивоварова, А. А., Куницына, Е. В., Коновалов, Г. Г., Слипченко, С. О., Подоскин, А. А., Андреев, И. А., Пихтин, Н. А., Ильинская, Н. Д., Черняков, А. Е., Яковлев, Ю. П.
Быстродействующие мостиковые фотоприемники для средней инфракрасной области спектра, А. А. Пивоварова, Е. В. Куницына, Г. Г. Коновалов [и др.]
// Журнал прикладной спектроскопии .-
2023 .-
Т. 90, № 1. - С. 102-108 .-
-
Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
Куницына, Е. В., Андреев, И. А., Коновалов, Г. Г., Иванов, Э. В., Пивоварова, А. А., Ильинская, Н. Д., Яковлев, Ю. П.
Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1094-1099
Куницына_фотодиоды
-
Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
Мамутин, В. В., Малеев, Н. А., Васильев, А. П., Ильинская, Н. Д., Задиранов, Ю. М., Усикова, А. А., Яговкина, М. А., Шерняков, Ю. М., Устинов, В. М.
Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 133-137
Мамутин_исследование
-
Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
Закгейм, А. Л., Ильинская, Н. Д., Карандашев, С. А., Лавров, А. А., Матвеев, Б. А., Ременный, М. А., Стусь, Н. М., Усикова, А. А., Черняков, А. Е.
Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 269-275
Закгейм_пространственное
-
Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка
Гаджиев, И. М., Буяло, М. С., Губенко, А. Е., Егоров, А. Ю., Усикова, А. А., Ильинская, Н. Д., Лютецкий, А. В., Задиранов, Ю. М., Портной, Е. Л.
Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 6. - С. 843-847 .-
Гаджиев_переключение
-
Полосковая структура для изорешеточных квантовых каскадных лазеров
Мамутин, В. В., Ильинская, Н. Д., Усикова, А. А., Лютецкий, А. В.
Полосковая структура для изорешеточных квантовых каскадных лазеров, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1499-1502
Мамутин_полосковая
-
Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров
Мамутин, В. В., Воробьёв, Л. Е., Васильев, А. П., Лютецкий, А. В., Ильинская, Н. Д., Софронов, А. Н., Фирсов, Д. А., Воробьев, Л. Е., Малеев, Н. А., Устинов, В. М.
Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 7. - С. 812-815 .-
Мамутин_изготовление
-
Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
Ильинская, Н. Д., Лебедева, Н. М., Задиранов, Ю. М., Иванов, П. А., Самсонова, Т. П., Коньков, О. И., Потапов, А. С.
Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 1. - С. 97-102 .-
Ильинская_микропрофилирование
-
О защите высоковольтных мезаструктурных 4H-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска
Лебедева, Н. М., Ильинская, Н. Д., Иванов, П. А.
О защите высоковольтных мезаструктурных 4H-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 207-211
Лебедева_о защите
-
Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2-2.3мкм)
Куницына, Е. В., Ройз, М. А., Андреев, И. А, Гребенщикова, Е. А., Пивоварова, А. А., Ahmetoglu (Afrailov), M., Лебедок, Е. В., Микулич, Р. Ю., Ильинская, Н. Д., Яковлев, Ю. П.
Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2-2.3мкм), [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 7. - С. 677-683 .-
Куницына_фотодиоды
