Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
Поиск

Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs

Авторы: Закгейм, А. Л. Ильинская, Н. Д. Карандашев, С. А. Лавров, А. А. Матвеев, Б. А. Ременный, М. А. Стусь, Н. М. Усикова, А. А. Черняков, А. Е.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
Электронный ресурс
Аннотация Проведены измерения и анализ пространственного распределения равновесного и неравновесного (в том числе люминесцентного) излучения в средневолновых ИК флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs с учетом конструктивных особенностей фотодиодов, включая отражательные свойства омических контактов. Сделана оценка увеличения оптической площади сбора фотонов за счет лучей, испытывающих многократные отражения внутри полупроводниковых чипов с различающимися геометрическими характеристиками.
Ключевые слова фотодиоды
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 2. - С. 269-275
Имя макрообъекта Закгейм_пространственное