| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678813796 |
| Дата корректировки | 15:27:35 5 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.02.44117.8380 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Закгейм, А. Л. | |
|
Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs Электронный ресурс |
|
| Radiation spatial redistribution in flip-chip InAsSbP/InAs DH photodiodes | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Проведены измерения и анализ пространственного распределения равновесного и неравновесного (в том числе люминесцентного) излучения в средневолновых ИК флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs с учетом конструктивных особенностей фотодиодов, включая отражательные свойства омических контактов. Сделана оценка увеличения оптической площади сбора фотонов за счет лучей, испытывающих многократные отражения внутри полупроводниковых чипов с различающимися геометрическими характеристиками. |
| Ключевые слова | фотодиоды |
|
флип-чип фотодиоды двойные гетероструктуры гетероструктуры полупроводниковые чипы p-n-переходы полупроводники |
|
|
Ильинская, Н. Д. Карандашев, С. А. Лавров, А. А. Матвеев, Б. А. Ременный, М. А. Стусь, Н. М. Усикова, А. А. Черняков, А. Е. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 269-275 |
|
| Имя макрообъекта | Закгейм_пространственное |
| Тип документа | b |
