Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
Закгейм, А. Л., Ильинская, Н. Д., Карандашев, С. А., Лавров, А. А., Матвеев, Б. А., Ременный, М. А., Стусь, Н. М., Усикова, А. А., Черняков, А. Е.
Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 269-275
Закгейм_пространственное
