-
Светодиоды средневолнового ИК диапазона на основе гетероструктур A{3}B{5} в газоаналитическом приборостроении. Возможности и применения, 2014-2018
Матвеев, Б. А., Сотникова, Г. Ю.
Светодиоды средневолнового ИК диапазона на основе гетероструктур A{3}B{5} в газоаналитическом приборостроении. Возможности и применения, 2014-2018, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 127, вып. 2. - С. 300-305
Матвеев_светодиоды
-
Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения
Карандышев, С. А., Лухмырина, Т. С., Матвеев, Б. А., Ременный, М. А., Усикова, А. А.
Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения, С. А. Карандышев, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев [и др.]
граф., ил., схема
// Оптика и спектроскопия .-
2021 .-
Т. 129, вып. 9. - С. 1193-1197 .-
-
Микрооптопара (лямбда = 3.4 mum) на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAs для измерения концентрации этанола в водном растворе методом МНПВО
Карандашев, С. А., Климов, А. А., Лухмырина, Т. С., Матвеев, Б. А., Ременный, М. А., Усикова, А. А.
Микрооптопара (лямбда = 3.4 mum) на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAs для измерения концентрации этанола в водном растворе методом МНПВО, С. А. Карандашев, А. А. Климов, Т. С. Лухмырина [и др.]
1 файл (384 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2022 .-
Т. 130, № 8. - С. 1223-1228 .-
-
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)
Карандашев, С. А., Матвеев, Б. А., Ременный, М. А.
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 147-157
Карандашев_источники
-
Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
Закгейм, А. Л., Ильинская, Н. Д., Карандашев, С. А., Лавров, А. А., Матвеев, Б. А., Ременный, М. А., Стусь, Н. М., Усикова, А. А., Черняков, А. Е.
Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 269-275
Закгейм_пространственное
-
Длинноволновые (lambda[0.1] = 10 mum, 296 K) инфракрасные фотоприемники на основе твердого раствора InAsSb[0.38]
Кунков, Р. Э., Климов, А. А., Лебедева, Н. М., Лухмырина, Т. С., Матвеев, Б. А., Ременный, М. А., Усикова, А. А.
Длинноволновые (lambda[0.1] = 10 mum, 296 K) инфракрасные фотоприемники на основе твердого раствора InAsSb[0.38], Р. Э. Кунков, А. А. Климов, Н. М. Лебедева [и др.]
1 файл (770 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 11. - С. 1505-1508 .-
-
Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb
Закгейм, А. Л., Климов, А. А., Лухмырина, Т. С., Матвеев, Б. А., Черняков, А. Е.
Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb, А. Л. Закгейм, А. А. Климов, Т. С. Лухмырина [и др.]
1 файл (211 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 11. - С. 1502-1504 .-
